Richiedere un preventivo |
Casa Prodottisilicon carbide crystal p grade produttore online
Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Wafer sic epitassiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

silicon carbide crystal p grade produzione online

(25)
comprare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea fabbricante

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:23:04
comprare CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo in linea fabbricante

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:26:24
comprare wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm in linea fabbricante

wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm
Contatto

Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
comprare Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um in linea fabbricante

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:21:10
comprare Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm in linea fabbricante

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:23:40
comprare Politipo Nessuno Consentito Wafer epitassiale SiC P-MOS P-SBD Grado D in linea fabbricante

Politipo Nessuno Consentito Wafer epitassiale SiC P-MOS P-SBD Grado D
Contatto

Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
comprare Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere in linea fabbricante

Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:25:55
comprare 4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm
Contatto

Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
comprare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea fabbricante

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
comprare wafer sic epitassiale 6inch in linea fabbricante

wafer sic epitassiale 6inch
Contatto

Leggi di più
2022-10-09 16:56:20
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.