Richiedere un preventivo |
Casa Prodottisilicon carbide crystal p grade produttore online
Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Wafer sic epitassiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

silicon carbide crystal p grade produzione online

(27)
Acquistare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leggi di più
2022-10-09 10:12:00
Acquistare Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N in linea produttore

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Contatto

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:16
Acquistare 4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm in linea produttore

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
Contatto

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Leggi di più
2022-09-27 17:35:24
Acquistare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:26
Acquistare Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea produttore

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
Contatto

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:05
Acquistare 4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P in linea produttore

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
Contatto

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:35
Acquistare Cristallo di seme del carburo di silicio JDZJ01-001-007 in linea produttore

Cristallo di seme del carburo di silicio JDZJ01-001-007
Contatto

JDZJ01-001-007 Silicon Carbide Seed Crystal Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. ... Leggi di più
2025-04-04 22:42:43
Acquistare Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm in linea produttore

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Leggi di più
2022-10-24 10:22:34
Acquistare Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde in linea produttore

Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
Contatto

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea produttore

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leggi di più
2022-10-24 10:23:04
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon Qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.