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Dettagli:
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Nome di prodotto: | Wafer GaAs-Si | Angolo di orientamento: | 0° |
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DI Orientamento: | EJ[0-1-1]±0.5° | DI Lunghezza (mm): | 17±1 |
SE Orientamento: | EJ[0-11]±0.5° | SE Lunghezza (mm): | 7±1 |
Diametro (mm): | 50,8±0,2 | CC(/cc): | 0.4E18~1E18 |
111) substrato Si-verniciato di 2inch GaAs (
Panoramica
Il gallio in un wafer di GaAs è in generale utilizzato nella produzione dei semiconduttori, dei barometri, dei diodi luminescenti, dei termometri e dei circuiti elettronici. È un metallo argenteo ed abbastanza morbido che lo rende facile essere utilizzato in chip pure. L'elemento del gallio, che è un genere di metallo temporaneo della posta, ha la capacità di legare facilmente con la maggior parte dei metalli su terra. Altamente è spiegato nella produzione delle leghe con una bassa temperatura di fusione.
Wafer di GaAs-si |
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Metodo di crescita |
VGF |
Tipo di comportamento | S-C-N |
Dopant | GaAs-si |
Orientamento | (100) 15°±0.5° fuori da TowardA<111> |
Angolo di orientamento | 0° |
Dell'orientamento | EJ [0-1-1] ±0.5° |
Della lunghezza (millimetri) | 17±1 |
SE orientamento | EJ [0-11] ±0.5° |
SE lunghezza (millimetri) | 7±1 |
Diametro (millimetri) | 50.8±0.2 |
Cc (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
Resistività (ohm.cm) | N/A |
Mobilità (cm2/v.s) | ≥1000 |
EPD (/cm2) | ≤5000 |
Spessore (um) | 350±20 |
TTV (um) | <10> |
TTR (um) | <10> |
Pieghi (um) | <15> |
Deformi (um) | <15> |
Superficie | Side1: Side2 lucidato: Inciso |
Imballaggio | Cassetta o singolo |
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
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