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Dettagli:
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| Nome di prodotto: | Wafer GaAs-Si | Metodo di crescita: | VGF |
|---|---|---|---|
| Tipo di comportamento: | S-C-N | Orientamento: | (100)15°±0.5° Off Verso<111>UN |
| Angolo di orientamento: | 180° | DI Orientamento: | EJ[0-1-1]±0.5° |
| DI Lunghezza (mm): | 17±1 | SE Lunghezza (mm): | 7±1 |
Substrati drogati con Zn GaAs(111) da 2 pollici
Panoramica
I cristalli di GaAs possono essere creati attraverso tre diversi metodi.Uno dei metodi più comuni è il processo di congelamento a gradiente verticale, che prevede la crescita dei cristalli e la loro affettatura, seguita dall'arrotondamento dei bordi e dalla loro lucidatura in wafer.Un altro metodo è la tecnica Bridgman-Stockbarger.
| Wafer GaAs-Zn | |
| Metodo di crescita | VGF |
| Tipo di comportamento | SCN |
| Drogante | GaAs-Zn |
| Orientamento | (100)15°±0.5° Off Verso<111>A |
| Angolo di orientamento | 180° |
| DI Orientamento | EJ[0-1-1]±0.5° |
| DI Lunghezza (mm) | 17±1 |
| SE Orientamento | EJ[0-11]±0.5° |
| SE Lunghezza (mm) | 7±1 |
| Diametro (mm) | 50,8±0,2 |
| CC(/cc) | 0.2E19~4.0E19 |
| Resistività (ohm.cm) | N / A |
| Mobilità (cm2/vs) | ≥1000 |
| DEP(/cm2) | ≤5000 |
| Spessore (um) | 350±25 |
| TTV(ehm) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| Arco (ehm) | <15 |
| Deformazione(um) | <15 |
| Superficie | Lato 1: Lucido Lato 2: Inciso |
| Epi-Pronto | SÌ |
| Confezione | Cassetta |
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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