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Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
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Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S
Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

Grande immagine :  Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

Dettagli:
Numero di modello: JDZJ01-001-005
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionato in camera bianca in contenitore singolo seme
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana

Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

descrizione
Filo di ordito (μm): ≤50μm Diametro: 153 ± 0,5 mm
Spessore: 500±50mm Arco: ≤50μm
Orientamento di cristallo: 4°off-axis toward<11-20>±0.5° Lunghezza del bordo di posizionamento principale: 18,0±2,0
Evidenziare:

Cristallo di semi di SiC di grado S

,

φ153±0

,

5 mm cristallo di semi di SiC

Sic grado 6" del cristallo di seme S grado φ153±0.5mm di S

Sic è un conduttore termico eccellente. Il calore scorrerà più prontamente da parte a parte sic che altri materiali a semiconduttore. Infatti, alla temperatura ambiente, sic ha un'più alta conducibilità termica che tutto il metallo. Questa proprietà permette sic ai dispositivi di funzionare estremamente ai livelli di alto potere ed ancora di dissipare un gran numero di calore in eccesso generato.

Grado Livello S Livello S
Specifiche del cristallo di seme 6" sic 6" sic
Diametro (millimetri) 153±0.5 155±0.5
Spessore (μm) 500±50 500±50
Arco (μm) ≤50 ≤50
Filo di ordito (μm) ≤50 ≤50
Orientamento di cristallo 4°off-axis toward±0.5°<11-20> 4°off-axis toward±0.5°<11-20>
Lunghezza di posizionamento principale del bordo 18.0±2.0 18.0±2.0
Lunghezza del dege di Subposition 8.0±2.0 8.0±2.0
Posizionamento della direzione del bordo

Fronte di si: giri in senso orario lungo il lato di posizionamento principale: 90°±5°

Fronte di C: giri in senso antiorario lungo il lato di posizionamento principale: 90°±5°

Fronte di si: giri in senso orario lungo il lato di posizionamento principale: 90°±5°

Fronte di C: giri in senso antiorario lungo il lato di posizionamento principale: 90°±5°

Resistività 0.01~0.04Ω·cm 0.01~0.04Ω·cm
Rugosità di superficie DSP, fronte Ra≤1.0nm di C DSP, fronte Ra≤1.0nm di C
Diametro di zona di monocristallo (millimetri) ≥150mm ≥152mm
Densità del microtubulo ≤0.5/cm2 ≤0.5/cm2
Lato di crollo ≤2mm ≤2mm
Metodo d'imballaggio Imballaggio del pezzo singolo Imballaggio del pezzo singolo
Nota: La zona di monocristallo si riferisce all'area senza crepa e polytype.

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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