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silicon carbide crystal 4h produzione online

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Acquistare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Leggi di più
2022-10-09 10:12:00
Acquistare 4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm in linea produttore

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
Contatto

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Leggi di più
2022-09-27 17:35:24
Acquistare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea produttore

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
Contatto

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:26
Acquistare Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea produttore

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
Contatto

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:05
Acquistare Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N in linea produttore

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
Contatto

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:16
Acquistare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea produttore

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Leggi di più
2022-10-24 10:23:04
Acquistare Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm in linea produttore

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Leggi di più
2022-10-24 10:22:34
Acquistare 4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P in linea produttore

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
Contatto

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Leggi di più
2022-09-27 17:01:35
Acquistare Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde in linea produttore

Livello P del substrato di carburo di silicio da 260 μm per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde
Contatto

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic in linea produttore

Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic
Contatto

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Leggi di più
2022-10-24 10:21:46
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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