La CINA GaN Epitaxial Wafer

Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Arco:- ≤ 10µm dell'ARCO del ≤ di 10µm
TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:µm 350 ±25

Orientamento:Un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° A (11-20) fuori dall'angolo vers
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm

TTV:µm del ≤ 10
2 pollici di LED verde GaN su wafer di silicio Dimensione 520±10nm

Nome di prodotto:Da GaN GUIDATO da verde sulla lastra di silicio

Dimensione:A 4 pollici a 2 pollici

Struttura del substrato:111) substrato di 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Substrati GaN in posizione libera - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Nome di prodotto:GaN Epitaxial Wafer

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
Resistività SSP con wafer in zaffiro GaN drogato UID tipo N da 4 pollici > 0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitassiale PIN

Dimensioni:100 ± 0.2mm

Spessore/spessore STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientamento:Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse A 0,2 ± 0,1 °
GaN drogato Mg tipo P da 4 pollici su wafer in zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED laser PIN wafer epitassiale

Dimensioni:100 ± 0.2mm

Nome di prodotto:GaN/MG-verniciato a 4 pollici Sapphire Substrates

Tipo di conduzione:P tipo
laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Nome di prodotto:GaN/MG-verniciato a 4 pollici Sapphire Substrates

Dimensioni:100 ± 0.2mm

Tipo di conduzione:P tipo
Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF

Dimensioni:50,8 ± 1mm

Spessore:350 ± 25μm

Piano di orientamento:± 0.5˚, 16 ± 1mm (di 1-100)
da laser GUIDATO Blu 455±10nm di 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Nome di prodotto:Da GaN On Silicon Wafer GUIDATO Blu

Dimensioni:A 2 pollici

Spessore dell'amplificatore di AlGaN:400-600nm
Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Nome di prodotto:2-4inch da GaN GUIDATO da verde su silicio

Dimensione:A 2 pollici, a 4 pollici

Dimensione:520±10nm

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GaN Epitaxial Wafer

Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer

2 pollici di LED verde GaN su wafer di silicio Dimensione 520±10nm

10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato

10 X 10,5 mm2 Substrati GaN in posizione libera - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Resistività SSP con wafer in zaffiro GaN drogato UID tipo N da 4 pollici > 0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitassiale PIN

GaN drogato Mg tipo P da 4 pollici su wafer in zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED laser PIN wafer epitassiale

laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF

da laser GUIDATO Blu 455±10nm di 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo