La CINA GaN Epitaxial Wafer

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:(10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C - 1 ±0,2
il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:Un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° A (11-20) fuori dall'angolo vers
5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:aereo (di 11-22) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° (11-22) fuori dall'angolo verso
il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0,35 ±0.15°

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,35 ±0,15°
Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti

Nome di prodotto:GaN Substrates indipendente

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

Nome di prodotto:GaN Epitaxial Wafer

Dimensioni:10*10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
GaN On Sapphire Wafer Si-verniciato N tipo a 4 pollici SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer

Nome di prodotto:Substrati GaN/zaffiro drogati con Si da 4 pollici

Spessore/spessore STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientamento:Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse A 0,2 ± 0,1 °
Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
Spessore tampone AlGaN 600nm GaN LED blu da 2 pollici su wafer di silicio

Dimensioni:2 pollici/4 pollici

Spessore dell'amplificatore di AlGaN:600NM

Laser del d'onde di Longueur:455±10nm
Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED

Tipo::Zaffiro piano

polonese:Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP)

Dimensione:50.8±0,2 mm (2 pollici)/100±0,2 mm ((4 pollici)/150 +0,2 mm (6 pollici)

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GaN Epitaxial Wafer

Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0,35 ±0.15°

Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

GaN On Sapphire Wafer Si-verniciato N tipo a 4 pollici SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Spessore tampone AlGaN 600nm GaN LED blu da 2 pollici su wafer di silicio

Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo