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GaN Epitaxial Wafer

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Substrato di monocristallo di GaN

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Wafer epitassiale GaN non drogato

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Fronte GaN Substrate di C

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La CINA GaN Epitaxial Wafer

5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm/laser W

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:µm 350 ±25

Orientamento:Un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° A (11-20) fuori dall'angolo vers
10 x 10,5 mm2 substrati GaN autoportanti - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Nome di prodotto:GaN Epitaxial Wafer

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
il C-fronte 10*10.5mm2 Fe-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm

TTV:µm del ≤ 10
Il C-fronte 10 x 10,5 mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate indipendente N tipo

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:10 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm

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GaN Epitaxial Wafer: il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI; Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf; Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale: Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um; CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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