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Fronte GaN Substrate di C

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La CINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitaxial GaN essenziale per la produzione di chip ad alta tensione ad alta frequenza

Tipo::Zaffiro piano

polonese:Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP)

Dimensione:50.8±0,2 mm (2 pollici)/100±0,2 mm ((4 pollici)/150 +0,2 mm (6 pollici)
625um a 675um 4 pollici Blu LED nitruro di gallio GaN Wafer epitaxial sul zaffiro SSP Sapphire piatto

Nome del prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Tipo:Zaffiro piano

Spessore:650 ± 25μm
GaN 2 pollici di nitruro di gallio monocristallino

Quantità di ordine minimo:1

Imballaggi particolari:Imballaggio interno: scatola di imballaggio specifica per wafer, imballaggio esterno: scatola di car

Termini di pagamento:T/T
Wafer Gan Epi monocristallo Nitruro di Gallio 4 pollici

Quantità di ordine minimo:1

Imballaggi particolari:Imballaggio interno: scatola di imballaggio specifica per wafer, imballaggio esterno: scatola di car

Termini di pagamento:T/T
4 pollici di nitrito di gallio GaN dopato

Quantità di ordine minimo:1

Imballaggi particolari:Imballaggio interno: scatola di imballaggio specifica per wafer, imballaggio esterno: scatola di car

Termini di pagamento:T/T

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circa

GaN Epitaxial Wafer: il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI; Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf; Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale: Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um; CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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