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GaN Epitaxial Wafer

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Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

5x10mm2 Sp Face Gan Wafer epitassiale Un drogato Si tipo Gan Substrato a cristallo singolo

Nome di prodotto:GaN Single Crystal Substrate indipendente

Dimensioni:un ² di 5 x10mm

Spessore:350 ±25µm
Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

Nome di prodotto:M. Face Free-Standing GaN Substrates

Dimensioni:5 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Nome di prodotto:Substrato GaN

Dimensioni:5 x 10,5 mm²

Spessore:350 ±25µm
L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm
Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati

Nome di prodotto:GaN Substrate indipendente

Dimensioni:5 x 10 millimetri di ²

Spessore:350 ±25µm
Spessore wafer in nitruro di gallio GaN 325um - 375um Autoportante

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm
spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m.

Nome di prodotto:Substrato GaN

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm
Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um

Dimensioni:5 x 10 millimetri di ²

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Nome di prodotto:Un fronte GaN Substrates indipendente

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm
Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di N-GaN

Arco:≤ 20μm

Piano di orientamento:(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm
625um allo zaffiro piano blu a 4 pollici di 675um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Tipo:Zaffiro piano

Spessore:650 ± 25μm
zaffiro piano del wafer di verde LED di 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 millimetri

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Spessore:650 ± 25μm

Tipo:Zaffiro piano

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GaN Epitaxial Wafer

Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

5x10mm2 Sp Face Gan Wafer epitassiale Un drogato Si tipo Gan Substrato a cristallo singolo

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate

M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N

Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati

Spessore wafer in nitruro di gallio GaN 325um - 375um Autoportante

spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m.

Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um

Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates

Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm

625um allo zaffiro piano blu a 4 pollici di 675um LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

zaffiro piano del wafer di verde LED di 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 millimetri

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo