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GaN Epitaxial Wafer

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Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitaxial GaN essenziale per la produzione di chip ad alta tensione ad alta frequenza

Tipo::Zaffiro piano

polonese:Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP)

Dimensione:50.8±0,2 mm (2 pollici)/100±0,2 mm ((4 pollici)/150 +0,2 mm (6 pollici)
625um a 675um 4 pollici Blu LED nitruro di gallio GaN Wafer epitaxial sul zaffiro SSP Sapphire piatto

Nome del prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Tipo:Zaffiro piano

Spessore:650 ± 25μm
GaN 2 pollici di nitruro di gallio monocristallino

Quantità di ordine minimo:1

Imballaggi particolari:Imballaggio interno: scatola di imballaggio specifica per wafer, imballaggio esterno: scatola di car

Termini di pagamento:T/T
Wafer Gan Epi monocristallo Nitruro di Gallio 4 pollici

Quantità di ordine minimo:1

Imballaggi particolari:Imballaggio interno: scatola di imballaggio specifica per wafer, imballaggio esterno: scatola di car

Termini di pagamento:T/T
4 pollici di nitrito di gallio GaN dopato

Quantità di ordine minimo:1

Imballaggi particolari:Imballaggio interno: scatola di imballaggio specifica per wafer, imballaggio esterno: scatola di car

Termini di pagamento:T/T
GaN LED verde da 2 pollici su dimensione wafer di silicio 520 ± 10 nm

Nome di prodotto:Da GaN GUIDATO da verde sulla lastra di silicio

Dimensione:A 4 pollici a 2 pollici

Struttura del substrato:111) substrato di 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,1 Ω·dispositivo di potere di cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Orientamento:aereo (di 11-22) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° (11-22) fuori dall'angolo verso

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Tipo N non drogato GaN autoportante Resistività del substrato a cristallo singolo

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:aereo (di 11-22) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° (11-22) fuori dall'angolo verso
il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Arco:- ≤ 10µm dell'ARCO del ≤ di 10µm
5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:(10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C - 1 ±0,2

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625um a 675um 4 pollici Blu LED nitruro di gallio GaN Wafer epitaxial sul zaffiro SSP Sapphire piatto

GaN 2 pollici di nitruro di gallio monocristallino

Wafer Gan Epi monocristallo Nitruro di Gallio 4 pollici

4 pollici di nitrito di gallio GaN dopato

GaN LED verde da 2 pollici su dimensione wafer di silicio 520 ± 10 nm

5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,1 Ω·dispositivo di potere di cm

5*10mm2 SP-Face (11-12) Tipo N non drogato GaN autoportante Resistività del substrato a cristallo singolo

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·cm

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo