Casa Prodotti

GaN Epitaxial Wafer

Migliori prodotti

Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Spessore:650 ± 25μm

Orientamento:Aereo di C (0001) fuori dall'angolo verso il ± 0.1° di M.-asse 0,2
Substrati N GaN autoportanti Rugosità superficiale faccia N da 0,5um a 1,5um

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di N-GaN

Dimensioni:50,0 ±0.3mm

Oggetto:GaN-FS-C-N-C50-SSP
spessore blu a 4 pollici 5um - 6um di 100mm LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Tipo:Zaffiro piano

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Polacco:Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP)
12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di N-GaN

Dimensioni:50,0 ±0.3mm

Spessore:400 ± 30μm
4 pollici blu LED GaN epitassiale wafer C piano zaffiro piatto

Tipo:Zaffiro piano

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Polacco:Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP)
Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:aereo (di 11-22) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° (11-22) fuori dall'angolo verso
Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Orientamento:aereo (di 11-22) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° (11-22) fuori dall'angolo verso

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm

Orientamento:(10-11) angolo fuori piano verso l'asse A 0 ±0,5° (10-11) angolo fuori piano verso l'asse C - 1 ±0,2

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Naviga tra le categorie：

GaN Epitaxial Wafer

Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Substrati N GaN autoportanti Rugosità superficiale faccia N da 0,5um a 1,5um

spessore blu a 4 pollici 5um - 6um di 100mm LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped

4 pollici blu LED GaN epitassiale wafer C piano zaffiro piatto

Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato

5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm

350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2

Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo