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GaN Epitaxial Wafer

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Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Spessore:650 ± 25μm

Orientamento:Aereo di C (0001) fuori dall'angolo verso il ± 0.1° di M.-asse 0,2
Substrati N GaN autoportanti Rugosità superficiale faccia N da 0,5um a 1,5um

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di N-GaN

Dimensioni:50,0 ±0.3mm

Oggetto:GaN-FS-C-N-C50-SSP
spessore blu a 4 pollici 5um - 6um di 100mm LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Tipo:Zaffiro piano

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Polacco:Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP)
12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di N-GaN

Dimensioni:50,0 ±0.3mm

Spessore:400 ± 30μm
4 pollici blu LED GaN epitassiale wafer C piano zaffiro piatto

Tipo:Zaffiro piano

Nome di prodotto:blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED

Polacco:Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP)
Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Spessore:350 ±25µm
Resistività SSP con wafer in zaffiro GaN drogato UID tipo N da 4 pollici > 0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitassiale PIN

Dimensioni:100 ± 0.2mm

Spessore/spessore STD:4,5 ± 0.5μm/< 3%

Orientamento:Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse A 0,2 ± 0,1 °
GaN drogato Mg tipo P da 4 pollici su wafer in zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED laser PIN wafer epitassiale

Dimensioni:100 ± 0.2mm

Nome di prodotto:GaN/MG-verniciato a 4 pollici Sapphire Substrates

Tipo di conduzione:P tipo
laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Nome di prodotto:GaN/MG-verniciato a 4 pollici Sapphire Substrates

Dimensioni:100 ± 0.2mm

Tipo di conduzione:P tipo
Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF

Dimensioni:50,8 ± 1mm

Spessore:350 ± 25μm

Piano di orientamento:± 0.5˚, 16 ± 1mm (di 1-100)
da laser GUIDATO Blu 455±10nm di 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Nome di prodotto:Da GaN On Silicon Wafer GUIDATO Blu

Dimensioni:A 2 pollici

Spessore dell'amplificatore di AlGaN:400-600nm
Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Nome di prodotto:2-4inch da GaN GUIDATO da verde su silicio

Dimensione:A 2 pollici, a 4 pollici

Dimensione:520±10nm

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Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Substrati N GaN autoportanti Rugosità superficiale faccia N da 0,5um a 1,5um

spessore blu a 4 pollici 5um - 6um di 100mm LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped

4 pollici blu LED GaN epitassiale wafer C piano zaffiro piatto

Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato

Resistività SSP con wafer in zaffiro GaN drogato UID tipo N da 4 pollici > 0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitassiale PIN

GaN drogato Mg tipo P da 4 pollici su wafer in zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED laser PIN wafer epitassiale

laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED

Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF

da laser GUIDATO Blu 455±10nm di 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo