Casa Prodotti

lastra di silicio

La CINA lastra di silicio

Dispositivi discreti Spessore wafer di silicio da 2 pollici 675um 725um 775um

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
dispositivi a 8 pollici a semiconduttore del wafer di 775um 725um 675um

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

Diametro:2"

Orientamento:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dispositivi MEMS Substrati di silicio Circuiti integrati Dedicati

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Dispositivi a 4 pollici della lastra di silicio JDCD06-001-003 MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti

Diametro:4"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
JDCD06-001-002 Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 3 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti

Diametro:3"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Elaborazione a 6 pollici di JDCD07-001-003 SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Orientamento:<100>,<111>

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Spessore (μm):300-725
Wafer epitassiale SOI da 7 pollici JDCD07-001-004 per elaborazione MEMS

Diametro:7"

Orientamento:<100>,<111>

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Elaborazione a 5 pollici di JDCD07-001-002 SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Orientamento:<100>,<111>

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

L'uniformità:<5>
Wafer epitassiale SOI da 4 pollici JDCD07-001-001 per elaborazione MEMS

Diametro:4"

Orientamento:<100>,<111>

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dispositivi a 12 pollici della lastra di silicio JDCD06-001-007 MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti

Diametro:12"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
JDCD06-001-006 Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 8 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti

Diametro:8"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Naviga tra le categorie：

lastra di silicio

La CINA lastra di silicio

Dispositivi discreti Spessore wafer di silicio da 2 pollici 675um 725um 775um

dispositivi a 8 pollici a semiconduttore del wafer di 775um 725um 675um

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm

Dispositivi MEMS Substrati di silicio Circuiti integrati Dedicati

Dispositivi a 4 pollici della lastra di silicio JDCD06-001-003 MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti

JDCD06-001-002 Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 3 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti

Elaborazione a 6 pollici di JDCD07-001-003 SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Wafer epitassiale SOI da 7 pollici JDCD07-001-004 per elaborazione MEMS

Elaborazione a 5 pollici di JDCD07-001-002 SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Wafer epitassiale SOI da 4 pollici JDCD07-001-001 per elaborazione MEMS

Dispositivi a 12 pollici della lastra di silicio JDCD06-001-007 MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti

JDCD06-001-006 Dispositivi MEMS con wafer di silicio da 8 pollici, circuiti integrati, substrati dedicati per dispositivi discreti

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo