La CINA Wafer del nitruro di alluminio

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  Wafer di nitruro di alluminio da 2 pollici singolo o doppio lato lucidato

  Dimensioni:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), faccia Al, bordo di posizionamento 16,0 ± 1,0 mm

  Substrato:Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)

  Orientamento:Piano C (0001)±1˚

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  1inch nitruro di alluminio AlN singolo Crystal Sapphire Wafer 400um

  Nome di prodotto:AlN monocristallo

  Rugosità:Faccia Al: ≤0,5 nm Faccia N (posteriore): ≤1,2 μm

  Aspetto:Bordo di posizionamento del nastro circolare

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  Grado del monocristallo 400±50μM S/P/R di JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN

  Nome di prodotto:AlN monocristallo

  Diametro (millimetri):10x10

  Spessore (μm):400±50

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  JDWY01-001-006 film spesso a 2 pollici (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec

  Dimensioni:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), faccia Al, bordo di posizionamento 16,0 ± 1,0 mm

  Substrato:Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)

  Spessore:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

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  JDWY01-001-004 film spesso a 2 pollici (2,3) um AIN sul wafer dello zaffiro, DSP, XRD FWHM (di 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

  Dimensioni:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), faccia Al, bordo di posizionamento 16,0 ± 1,0 mm

  Substrato:Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)

  Orientamento:Piano C (0001)±1o

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  JDWY01-001-007 Pellicola spessa 2 pollici (4,5) Um AIN su zaffiro wafer, SSP, XRD FWHM di (002) ≤ 160 arcsec \ (102) ≤ 400 arcsec

  Dimensioni:φ50,8 mm ± 0,1 mm, OF (1-100), faccia Al, bordo di posizionamento 16,0 ± 1,0 mm

  Substrato:Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)

  Spessore:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

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  Wafer monocristallino da 1 pollice AlN 400±50μM grado S/P/R

  forma di cristallo:2H

  Spessore:400±50

  Roverezza:Fronte di Al: fronte di ≤0.5nm N (posteriore): ≤1.2μm

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  ALN 10*10mm2 AlN singolo cristallo 400±50μM grado S/P/R

  Diametro:10mmx10mm

  Spessore (μm):400±50

  forma di cristallo:2H

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  JDWY01-001-002 Pellicola spessa 2 pollici (1,2) Um AIN su zaffiro wafer, DSP, XRD FWHM di (002) ≤ 80 arcsec (102) ≤ 650 arcsec

  Spessore:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

  Orientamento:Piano C (0001)±1o

  Tipo di conduzione:Semi-isolamento

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