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gan produzione online

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12.5mm 2inch N indipendente GaN Epi Wafer Si Doped
Contatto

2023-02-17 17:50:47

Spessore wafer in nitruro di gallio GaN 325um - 375um Autoportante
Contatto

2022-10-08 17:00:13

L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N
Contatto

2023-03-23 16:45:03

M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contatto

2022-10-08 17:04:46

Wafer epitassiale GaN non drogato
Contatto

2022-10-09 17:04:59

Un substrato a cristallo singolo GaN gallio autoportante di tipo N faccia non drogato
Contatto

2023-02-17 11:02:58

Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato
Contatto

2023-02-17 17:53:35

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf
Contatto

2023-03-22 16:32:03

Fronte GaN Substrate di C
Contatto

2022-10-09 17:03:25

zaffiro piano del wafer di verde LED di 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 millimetri
Contatto

2022-10-08 17:16:14

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo