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gan produzione online

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Wafer epitaxial GaN essenziale per la produzione di chip ad alta tensione ad alta frequenza
Contatto

2024-07-31 15:01:27

Chip a diodo laser a montaggio superficiale pacchetto standard 1,0 W/A
Contatto

2022-09-22 15:13:00

GaN di tipo N da 2 ′′ a 6 pollici su wafer epitaxial zaffiro per dispositivo PIN laser a LED
Contatto

2024-07-31 15:01:27

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um
Contatto

2022-10-08 16:41:01

Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um
Contatto

2023-02-17 17:57:41

Superficie frontale dei substrati in zaffiro modellato ad angolo piatto da 16 mm
Contatto

2022-10-09 10:43:37

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura
Contatto

2023-02-17 14:49:57

Sapphire Crystal Wafer modellata 2inch Sapphire Substrate
Contatto

2022-10-09 10:45:33

Substrati in zaffiro modellato da 50,80 mm 430um A Plane
Contatto

2022-09-27 16:47:10

Back Laser Making Patterned PSS Sapphire Substrato TTV 5um
Contatto

2022-09-27 16:46:55

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo