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comprare SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm in linea fabbricante

SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm
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2022-10-08 16:01:42
comprare 5x10mm2 Sp Face Gan Wafer epitassiale Un drogato Si tipo Gan Substrato a cristallo singolo in linea fabbricante

5x10mm2 Sp Face Gan Wafer epitassiale Un drogato Si tipo Gan Substrato a cristallo singolo
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2023-03-23 16:42:09
comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprare Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um in linea fabbricante

Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um
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2022-10-08 17:12:14
comprare 375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati in linea fabbricante

375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati
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2023-02-17 10:22:03
comprare Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates in linea fabbricante

Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06
comprare La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N in linea fabbricante

La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N
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2022-10-08 16:00:57
comprare Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati
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2023-02-17 10:52:50
comprare spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m. in linea fabbricante

spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m.
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2022-10-08 16:48:05
comprare Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici in linea fabbricante

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici
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2023-03-22 16:40:13
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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