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il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf
Contatto

2022-10-25 15:19:21

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm
Contatto

2022-10-25 15:18:12

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,1 Ω·dispositivo di potere di cm
Contatto

2023-02-17 11:08:54

5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm
Contatto

2023-02-17 11:10:47

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)
Contatto

2022-10-08 16:58:42

Resistività SSP con wafer in zaffiro GaN drogato UID tipo N da 4 pollici > 0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitassiale PIN
Contatto

2022-10-08 16:57:10

Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact
Contatto

2023-02-17 11:16:39

GaN LED verde da 2 pollici su dimensione wafer di silicio 520 ± 10 nm
Contatto

2023-02-17 11:21:32

Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio
Contatto

2023-03-22 16:44:02

da laser GUIDATO Blu 455±10nm di 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde
Contatto

2023-02-17 11:40:11

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo