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comprare GaN drogato Mg tipo P da 4 pollici su wafer in zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED laser PIN wafer epitassiale in linea fabbricante

GaN drogato Mg tipo P da 4 pollici su wafer in zaffiro SSP resistività ~ 10Ω cm LED laser PIN wafer epitassiale
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2024-07-31 15:01:27
comprare il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf in linea fabbricante

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf
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2022-10-25 15:13:01
comprare il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser in linea fabbricante

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser
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2022-10-25 15:18:59
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (10-11) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
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2022-10-25 15:17:49
comprare 5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf in linea fabbricante

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Dispositivo di cm rf
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2022-10-25 15:13:23
comprare 5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate &lt; 0,1 Ω·cm in linea fabbricante

5*10mm2 PS-fronte (20-21)/(20-2-1) Non-ha verniciato la resistività indipendente N tipa di GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm
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2022-10-25 15:16:01
comprare 10 x 10,5 mm2 substrati GaN autoportanti - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm in linea fabbricante

10 x 10,5 mm2 substrati GaN autoportanti - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
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2022-10-25 15:08:55
comprare aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall&#039;angolo verso l&#039;M.-asse 0,35 ±0.15° in linea fabbricante

aereo di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0,35 ±0.15°
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2022-10-25 15:06:26
comprare µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 in linea fabbricante

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV di 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2022-10-25 15:04:09
comprare il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN &lt; 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser in linea fabbricante

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0,05 Ω·dispositivo di potere di cm/laser
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2022-10-25 15:17:24
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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