Richiedere un preventivo |
Casa Prodottin type sic epitaxial wafer produttore online
Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Wafer sic epitassiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrati diamantati CVD

(15)

Sistema di ricottura termica rapida

(2)

Tester per sensori ad effetto Hall

(3)

Wafer del nitruro di alluminio

(21)

Chip del diodo laser

(10)

Cristallo del carburo di silicio

(12)

Wafer Ga2O3

(13)

lastra di silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modellata

(10)

Supporto del wafer del

(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer

(5)
Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
Sono ora online in chat

n type sic epitaxial wafer produzione online

(23)
comprare il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI in linea fabbricante

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
Contatto

Leggi di più
2024-10-14 17:06:30
comprare Substrato SiC 350um 4H in linea fabbricante

Substrato SiC 350um 4H
Contatto

Leggi di più
2022-10-09 16:57:57
comprare Sic tipo substrato di N in linea fabbricante

Sic tipo substrato di N
Contatto

Leggi di più
2022-10-09 16:57:15
comprare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea fabbricante

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:23:04
comprare Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario in linea fabbricante

Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:26:17
comprare Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm in linea fabbricante

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:22:34
comprare 150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm in linea fabbricante

150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:22:12
comprare Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm in linea fabbricante

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contatto

Leggi di più
2025-04-04 22:43:25
comprare Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um in linea fabbricante

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
Contatto

Leggi di più
2022-10-24 10:21:10
comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contatto

Leggi di più
2022-10-08 17:19:48
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon Qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.