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n type sic epitaxial wafer produzione online

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comprare Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um in linea fabbricante

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
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2022-10-24 10:21:10
comprare Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si in linea fabbricante

Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si
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2024-12-06 17:33:44
comprare 6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si in linea fabbricante

6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si
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2024-12-06 17:38:23
comprare 2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio in linea fabbricante

2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio
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2024-12-06 17:35:32
comprare il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI in linea fabbricante

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
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2024-10-14 17:06:30
comprare Substrato SiC 350um 4H in linea fabbricante

Substrato SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57
comprare Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm in linea fabbricante

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
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2025-04-04 22:43:25
comprare 150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm in linea fabbricante

150mm 4H SiC Wafer Semi Substrato isolante da 6 pollici 350μm
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2022-10-24 10:22:12
comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprare Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic in linea fabbricante

Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic
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2022-10-24 10:21:46
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

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