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n type sic epitaxial wafer produzione online

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comprare wafer sic epitassiale 6inch in linea fabbricante

wafer sic epitassiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20
comprare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea fabbricante

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
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2024-10-29 11:49:58
comprare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare 0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm in linea fabbricante

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale in linea fabbricante

Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale
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2024-12-06 17:41:10
comprare LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale in linea fabbricante

LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale
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2024-12-06 17:37:25
comprare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea fabbricante

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
comprare Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario in linea fabbricante

Substrato di tipo SiC N da 6 pollici 4H 47,5 mm senza piatto secondario
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2022-10-24 10:26:17
comprare Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm in linea fabbricante

Tipo N 6 pollici 4H substrato in carburo di silicio Lunghezza piatta primaria 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34
comprare Sic tipo substrato di N in linea fabbricante

Sic tipo substrato di N
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2022-10-09 16:57:15
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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