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p type silicon substrate produzione online

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comprare JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P in linea fabbricante

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P
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2025-04-04 22:42:33
comprare cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P in linea fabbricante

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P
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2022-09-27 17:01:26
comprare Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P in linea fabbricante

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
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2022-09-27 17:01:05
comprare Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm in linea fabbricante

Substrato SiC 4H da 6 pollici N Tipo P Grado SBD 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
comprare Substrato SiC 350um 4H in linea fabbricante

Substrato SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57
comprare 4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P in linea fabbricante

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
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2022-09-27 17:01:35
comprare laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED in linea fabbricante

laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2025-04-04 22:43:47
comprare wafer sic epitassiale 6inch in linea fabbricante

wafer sic epitassiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20
comprare 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in linea fabbricante

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
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2024-10-29 11:49:58
comprare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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