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p type silicon substrate produzione online

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comprare JDCD07-001-002 Wafer epitaxiale SOI da 5 pollici per la lavorazione MEMS in linea fabbricante

JDCD07-001-002 Wafer epitaxiale SOI da 5 pollici per la lavorazione MEMS
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2025-04-27 11:43:50
comprare Elaborazione a 6 pollici di JDCD07-001-003 SOI Epitaxial Wafer For MEMS in linea fabbricante

Elaborazione a 6 pollici di JDCD07-001-003 SOI Epitaxial Wafer For MEMS
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2025-04-04 22:42:31
comprare JDCD07-001-004 Wafer epitaxiale SOI da 7 pollici per la lavorazione MEMS in linea fabbricante

JDCD07-001-004 Wafer epitaxiale SOI da 7 pollici per la lavorazione MEMS
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2025-04-27 11:43:50
comprare Wafer epitassiale SOI da 4 pollici JDCD07-001-001 per elaborazione MEMS in linea fabbricante

Wafer epitassiale SOI da 4 pollici JDCD07-001-001 per elaborazione MEMS
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2025-04-27 11:43:50
comprare dispositivi a 8 pollici a semiconduttore del wafer di 775um 725um 675um in linea fabbricante

dispositivi a 8 pollici a semiconduttore del wafer di 775um 725um 675um
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2022-09-27 16:50:19
comprare Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm in linea fabbricante

Spessore 370um 430um GaN Epi Wafer Dimensions a 2 pollici 50mm
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2024-10-29 11:49:57
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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