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single crystal diamond wafer produzione online

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comprare Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5 in linea fabbricante

Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5
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2022-09-27 17:12:44
comprare 3 tenore di N di CVD Diamond Substrates di X 3mm2 < 100ppb per il dissipatore di calore in linea fabbricante

3 tenore di N di CVD Diamond Substrates di X 3mm2 < 100ppb per il dissipatore di calore
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2022-10-09 09:54:10
comprare 3.515g/cm3 CVD Diamond substrata la trasmissione della luce 225nm all&#039;infrarosso lontano in linea fabbricante

3.515g/cm3 CVD Diamond substrata la trasmissione della luce 225nm all'infrarosso lontano
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2022-09-27 17:12:16
comprare Wm K 1000 ~ CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K in linea fabbricante

Wm K 1000 ~ CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
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2022-09-27 17:13:12
comprare Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate in linea fabbricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprare JDCD05-001-007 Substrati diamantati CVD in linea fabbricante

JDCD05-001-007 Substrati diamantati CVD
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2025-04-04 22:43:03
comprare 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in linea fabbricante

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58
comprare R Tipo 50mm Sapphire Wafer Spessore 420μm DI lunghezza (mm) 16 chip LED in linea fabbricante

R Tipo 50mm Sapphire Wafer Spessore 420μm DI lunghezza (mm) 16 chip LED
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2023-02-17 11:23:22
comprare SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um in linea fabbricante

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um
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2022-10-08 16:41:01
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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