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gallium nitride semiconductor wafer produzione online

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laser MG-verniciato a 4 pollici PIN Epitaxial Wafer di GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
Contatto

2023-03-23 18:00:45

il C-fronte 10*10.5mm2 Fe-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf
Contatto

2022-10-25 15:05:44

Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact
Contatto

2023-02-17 11:16:39

GaN LED verde da 2 pollici su dimensione wafer di silicio 520 ± 10 nm
Contatto

2023-02-17 11:21:32

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm
Contatto

2023-02-17 14:30:35

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Ga2O3 Ga2O3 autoportante monocristallino Grado del prodotto Singola lucidatura
Contatto

2022-10-09 10:29:17

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3
Contatto

2022-10-09 10:30:00

il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo <0.1 Ω·dispositivo di potere di cm/laser W
Contatto

2022-10-25 15:15:40

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura
Contatto

2023-02-17 14:49:57

5*10mm2 il PS-fronte (11-12) Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente N tipo < 0,1 Ω·dispositivo di potere di cm
Contatto

2023-02-17 11:08:54

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo