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polished sapphire wafers produzione online

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comprare Il tipo pronto specchio di EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R ha lucidato in linea fabbricante

Il tipo pronto specchio di EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R ha lucidato
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2022-09-27 16:31:18
comprare Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED in linea fabbricante

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2022-09-27 16:24:09
comprare C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch in linea fabbricante

C-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-006 6inch
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2025-04-04 22:43:50
comprare JDCD08-001-002 2 pollici A-Plane Sapphire Substrate Wafer in linea fabbricante

JDCD08-001-002 2 pollici A-Plane Sapphire Substrate Wafer
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2025-04-27 11:43:50
comprare Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED in linea fabbricante

Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED
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2024-12-06 17:48:43
comprare R-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-004 2inch in linea fabbricante

R-aereo Sapphire Substrate Wafer di JDCD08-001-004 2inch
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2025-04-04 22:42:27
comprare ALN 10*10mm2 AlN singolo cristallo 400±50μM grado S/P/R in linea fabbricante

ALN 10*10mm2 AlN singolo cristallo 400±50μM grado S/P/R
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2024-12-06 17:49:47
comprare L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N in linea fabbricante

L'ONU ha verniciato il tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 m. Face di N
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2024-10-29 11:49:57
comprare Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF in linea fabbricante

Resistività del substrato monocristallino GaN autoportante di tipo SI drogato Fe con faccia C da 2 pollici > 10⁶ Ω·cm Dispositivi RF
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2025-04-04 22:43:44
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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