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comprare Sic tipo substrato di N in linea fabbricante

Sic tipo substrato di N
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2022-10-09 16:57:15
comprare 0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing in linea fabbricante

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
comprare Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED in linea fabbricante

Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED
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2022-09-27 16:24:09
comprare JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3 in linea fabbricante

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3
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2025-04-27 11:43:51
comprare JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola in linea fabbricante

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola
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2025-04-27 11:43:51
comprare 4 pollici 4H-SiC Substrato P-Livello SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistenza≥1E9Ω·Cm Per potenza a microonde in linea fabbricante

4 pollici 4H-SiC Substrato P-Livello SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistenza≥1E9Ω·Cm Per potenza a microonde
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2025-04-27 11:43:50
comprare Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm in linea fabbricante

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35
comprare Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto in linea fabbricante

Elevata purezza Al2O3＞99,995% Sapphire Wafer lucidato a specchio EPI pronto
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2024-10-29 11:49:57
comprare Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 in linea fabbricante

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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